Компания Tsinghua Unigroup, в январе сообщившая о намерении , планирует освоить выпуск 18-нанометровой памяти DRAM.
Китайский государственно-частный производитель ведет переговоры с ведущими производителями этой продукции, включая Micron Technology и SK Hynix, о возможном технологическом сотрудничестве.
Как известно, крупнейших производителей полупроводниковой продукции. В компании подтвердили, что до конца года должны быть готовы образцы 32-слойной флэш-памяти 3D NAND. Кроме того, запланирована разработка 64-слойной флэш-памяти 3D NAND.
Источник:
