Новый LPDDR4X 12ГБ соединяет 512 ГБ эафс для обеспечения эффективной работы пользователя в смартфонах с несколькими камерами, размеры 2х экране, и ИИ и функции 5г
Samsung Electronics, мировой лидер в области передовых технологий памяти, объявила о начале массового выпуска в максимальной емкости мобильная DRAM – первый в отрасли 12-гигабайт (ГБ) малой мощности удвоенная скорость передачи данных в 4 раза (LPDDR4X) пакет оптимизирован для завтрашнего дня премиум-смартфонов. С большей емкостью, чем большинство ультра-тонких ноутбуков, новая мобильная DRAM позволит пользователям смартфонов в полной мере использовать все функции в следующем поколении смартфонов.
“При массовом производстве нового LPDDR4X, Samsung предоставляет комплексную линейку расширенным памяти в энергии новой эры смартфонов, с интерфейсом SAS 12 Гбит мобильную память DRAM 512 ГБ эафс 3.0 хранилища”, — сказал Севон Чун, исполнительный вице-президент по маркетингу памяти в Samsung электроники. “Кроме того, с LPDDR4X, мы укрепляем наши позиции в качестве премиальных мобильных производителя памяти лучше всего подходит для удовлетворения стремительно растущего спроса со стороны мировых производителей смартфонов.”
Благодаря 12 ГБ мобильной памяти DRAM, производители смартфонов смогут максимально использовать потенциал устройства, которые имеют более чем пятью камерами и постоянно растущих размеров дисплея, а также искусственного интеллекта и возможности 5г. Для пользователей смартфонов, в ОЗУ 12 Гб позволяет больше жидкости многозадачность и ускорения поиска, как они проходят через множество приложений на ультра-большие экраны с высоким разрешением. Кроме того, 1.1-миллиметровая толщина позволяет даже изящнее дизайн смартфона.
Емкость 12ГБ было достигнуто путем объединения шести 16-гигабитных (Гб) чипов LPDDR4X на основе второго поколения 10 нм класса (1й-Нм) процессов в единый пакет, обеспечивающий больше пространства для аккумулятора смартфона. Кроме того, с помощью технологии компании 1У-Нм, новый мобильный 12ГБ памяти обеспечивает скорость передачи данных 34.1 ГБ в секунду при минимальном увеличении энергопотребления неизбежно стало в драм емкость.
После введения 1 ГБ мобильной памяти DRAM в 2011 году Samsung продолжает стимулировать прорывы емкость рынка мобильной памяти DRAM, двигаясь от 6ГБ (в 2015 году) и 8 ГБ (2016) Сегодня первый LPDDR4X 12 ГБ. От его передовой линии памяти в городе Пхентхэк, Южная Корея, Samsung планирует более чем утроить поставки своей 1У-Нм на основе 8 ГБ и 12 ГБ мобильной памяти DRAM во второй половине 2019 года, чтобы удовлетворить ожидаемый высокий спрос.
[Ссылка] Samsung мобильные драма таймлайн: производство/масса прод.
Дата | Емкость | Мобильная DRAM |
Февраля. 2019 | 12ГБ | 1У-Нм 16гб LPDDR4X, 4266Mb/с |
Июля 2018 года | 8ГБ | 1У-Нм 16гб LPDDR4X, 4266Mb/с |
Апрель 2018 | 8 ГБ (разработка) | 1х-Нм 8гб LPDDR5, 6400Mb/с |
Сентябрь. 2016 | 8ГБ | 1х-Нм 16гб LPDDR4X, 4266Mb/с |
Августа. 2015 | 6ГБ | 20 нм (2z паза) 12 Гб LPDDR4, 4266Mb/с |
Декабря. 2014 | 4ГБ | 20нм (2z паза) 8 Гб LPDDR4, 3200Mb/с |
Сентябрь. 2014 | 3ГБ | 20 нм (2z паза) 6гб станет LPDDR3, 2133Mb/с |
Ноября. 2013 | 3ГБ | 2й-Нм 6гб станет LPDDR3, 2133Mb/с |
Июль 2013 | 3ГБ | 2й-нм 4 ГБ LPDDR3, 2133Mb/с |
Апрель 2013 | 2 ГБ | 2й-нм 4 ГБ LPDDR3, 2133Mb/с |
Августа. 2012 | 2 ГБ | 30нм-класса 4 ГБ LPDDR3, 1600 МБ/с |
2011 | 1/2 ГБ | 30нм-класса 4 ГБ LPDDR2 с, 1066Mb/с |
2010 | 512МБ | 40нм-класс MDDR 2 Гб, 400 МБ/с |
2009 | 256МБ | 50 Нм-класс 1гб MDDR, 400 МБ/с |