Установив новый порог для хранения мобильного телефона, чтобы справиться с постоянно увеличивающимся количеством мультимедийного контента
Samsung Electronics, мировой лидер в области передовых технологий памяти, объявила, что она начала массовое производство первых в отрасли 512 гигабайт (ГБ) встроенный Универсальный флеш-память (эафс) решение для использования в следующем поколении мобильных устройств. Последний использует Samsung с 64-слойной 512-гигабитных (Гб) V-памяти NAND чипов, новый пакет 512 Гб эафс обеспечивает непревзойденную емкость и высокую производительность в течение предстоящих флагманских смартфонов и планшетов.
“Новый Samsung 512 ГБ эафс обеспечивает лучшее встроенное решение для хранения данных для следующего поколения премиум-смартфонов по преодолению возможных ограничений в производительности системы, что может происходить с использованием микро SD карты, сказал Jaesoo Хан, исполнительный вице-президент по памяти продажам и маркетингу Samsung электроники. “На етом ранних, стабильных поставок в эту программу встроен хранения багажа, Samsung это большой шаг вперед в обеспечении своевременного запуска следующего поколения мобильных устройств, производители мобильных устройств по всему миру.”
Состоящую из восьми 64-512гб слой V-памяти NAND-чипов и контроллера чип, все сложены вместе, Samsung новый 512ГБ УФС удваивает плотность Samsung предыдущих 48-слойной V-памяти NAND на основе 256 ГБ эафс, в то же пространство, как и 256 ГБ пакет. Увеличена емкость эафс будет оказывать гораздо более обширный мобильный опыт. Например, новые высокоемкие эафс позволяет флагманский смартфон в магазине около 130 4K Ультра HD (3840×2160) видео клипы по 10 минут Продолжительность*, который находится примерно в десятикратном увеличении за 64 Гб эафс позволяет хранить только около 13 того же размера видеоклипы.
Для повышения производительности и энергоэффективности нового 512ГБ эафс, Samsung представила новый набор фирменных технологий. На 64-512гб слой V-памяти NAND передовые цепи дизайн и новая технология управления питанием в 512 ГБ эафс’ регулятор свести к минимуму неизбежное увеличение потребляемой энергии, что особенно примечательно, поскольку новая 512 ГБ эафс решение содержится вдвое больше количества клеток по сравнению с 256 Гб эафс. Кроме того, чип контроллер на 512 ГБ эафс’ ускоряет процесс сопоставления для преобразования логических адресов блоков к физической блоков.
В Samsung 512ГБ эафс также имеет сильную производительность чтения и записи. С ее последовательного чтения и записи достигает до 860 мегабайт в секунду (МБ/с) и 255MB/с соответственно, 512 ГБ встроенной памяти позволяет передавать 5 ГБ-эквивалентное полное HD видео клип на SSD в течение примерно шести секунд, в восемь раз быстрее, чем обычный карты памяти microSD.
Для случайных операций, новый эафс можете прочитать 42,000 40,000 iops и записи операций ввода-вывода. На основе эафс Рапид случайные записи, которые находятся примерно в 400 раз быстрее, чем the100 ИППО скорости обычные карты памяти microSD, мобильные пользователи могут наслаждаться бесшовных мультимедийных задач, таких как высокого разрешения, серийной съемки, а также поиск файлов и видео загрузки в двойной-приложение для просмотра режиме.
На соответствующую записку, Samsung намерена стабильно увеличивать агрессивную объем производства для своих 64-512гб слой V-памяти NAND чипов, в дополнение к расширению своего 256 Гб V-памяти NAND производства. Это должно удовлетворить рост спроса на передовые встроенного хранилища мобильные, а также премиум-накопители и сменные карты памяти с высокой плотностью и производительностью.
* Примечание редактора: расчет отражает внутренние тесты, в которых среднее фактическое время хранения составляет около 93% меченых емкость, а где предустановленной мобильной ОС использует около 13 ГБ емкости на флагманский смартфон.
