Крупные производители микросхем DRAM на этапе технологических норм 1x/1y продолжат использовать многократное экспонирование, тогда как переход на литографию в жестком ультрафиолетовом диапазоне (EUV) на этапе менее 10 нм пока остается под вопросам. Об этом сообщает Digitimes со ссылкой на отраслевые источники.
Ранее предполагалось, что переход на EUV произойдет, когда нормы станут меньше 20 нм, но высокая стоимость оборудования оттолкнула Samsung и других производителей DRAM. Как утверждается, отрасль будет придерживаться иммерсионной литографии с длиной волны 193 нм и многократным экспонированием, пока нормы будут больше 10 нм.
По имеющимся данным, на следующем этапе Samsung готовится к переходу на производство DRAM с использованием EUV. Но неизвестно, последуют ли ее примеру SK Hynix и Micron Technology. Дело в том, что освоение EUV сопряжено с огромными инвестициями.
Что касается выпуска логических микросхем, где Samsung выступает контрактным производителем, компания намерена освоить EUV в 2018 году, в первом поколении 7-нанометрового техпроцесса.
По прогнозу компании ASML, выступающей единственным поставщиком литографического оборудования EUV, отрасль примет новую технологию в 2019 году. Среди тех, кто может первым освоить EUV, названы Globalfoundries, Intel, Samsung, SK Hynix и TSMC.
