На основе 2-го поколения Samsung 10 нм-класс технологии 16ГБ пакет мобильная DRAM LPDDR5 обеспечивает высокую производительность и большой потенциал
Samsung электроники, мировой лидер в области передовых технологий памяти, объявила о начале массового выпуска первых в отрасли 16 гигабайт (ГБ) LPDDR5 мобильная DRAM пакет для следующего поколения смартфонов. Следующее массовое производство первый в отрасли 12 ГБ LPDDR5 в июле 2019 году новый 16GB продвижение будет лидировать на рынке премиальных мобильных памяти с дополнительной емкостью, что позволяет повысить 5G и услугам, в том числе и насыщенные графикой игры и умные фотографии.
“Samsung стремится приносить технологии памяти до режущей кромки, позволяя потребителям наслаждаться удивительным опытом через свои мобильные устройства. Мы рады оставаться верным этому обязательству в наш новый, топ-оф-линии мобильное решение для глобальных производителей устройств”, — сказал Чол Чой, старший вице-президент по продажам памяти и маркетингу, Samsung электроники. “С введением новой линейке продуктов, основанных на технологии следующего поколения, то позже в этом году Samsung сможет полностью удовлетворять будущие потребности памяти от глобальных клиентов”.
Скорость передачи данных на 16 ГБ LPDDR5 приходит на 5500 мегабит в секунду (Мб/с), примерно в 1,3 раза быстрее, чем в предыдущих мобильных памяти (LPDDR4X, 4266Mb/с). По сравнению с пакета LPDDR4X 8ГБ, новая мобильная DRAM обеспечивает более чем 20-процентную экономию энергии, обеспечивая в два раза емкость.
Пакет 16GB мобильный Samsung в драм LPDDR5 состоит из восьми 12-гигабитных (Гб) чипов и четыре 8 ГБ чипы, оснащая смартфоны премиум-класса с удвоенным драма емкость найдены во многих более дорогих сегодня ноутбуков и игровых ПК. Вместе с высочайшей производительностью, в отрасли большой потенциал поддерживает динамичный и отзывчивый геймплей, а также ультра-высоким разрешением графики на смартфонах премиум-класса для очень захватывающий мобильный игровой опыт.
Как Samsung продолжает расширять LPDDR5 мобильной памяти DRAM производства на своем сайте Пьонгтек, компания планирует массовое производство 16 ГБ LPDDR5 продуктов на основе третьего поколения 10нм класса (1З) технологического процесса во второй половине этого года, в соответствии с развитием 6 400 Мб/с чипсет. Таких непрерывных инноваций, как ожидается, также положение Samsung в дальнейшем укрепить свои конкурентные преимущества на рынках, таких как премиум-класса, мобильных устройств, высокопроизводительных компьютерах и автомобильных применений.
[Ссылка] Samsung мобильные драма таймлайн: производство/масса прод.
Дата | Емкость | Мобильная DRAM |
Декабря. 2019 | 16ГБ | 10нм-класс 12 ГБ+8 ГБ LPDDR5, 5500Mb/с |
Сентябрь. 2019 |
12ГБ |
10нм-класс 24 ГБ LPDDR4X, 4266Mb/с |
Июля 2019 года | 12ГБ | 10нм-класса с интерфейсом SAS 12 Гбит LPDDR5, 5500Mb/с |
Июня 2019 года | 6ГБ | 10нм-класса с интерфейсом SAS 12 Гбит LPDDR5, 5500Mb/с |
Февраля. 2019 | 12ГБ | 10нм-16GB класс LPDDR4X, 4266Mb/с |
Июля 2018 года | 8ГБ | 10нм-16GB класс LPDDR4X, 4266Mb/с |
Апрель 2018 | 8ГБ (развития) |
10нм-8GB класс LPDDR5, 6400Mb/с |
Сентябрь. 2016 | 8ГБ | 10нм-16GB класс LPDDR4X, 4266Mb/с |
Августа. 2015 | 6ГБ | 20 нм 12 Гб LPDDR4, 4266Mb/с |
Декабря. 2014 | 4ГБ | 20 нм 8 Гбит LPDDR4, 3200Mb/с |
Сентябрь. 2014 | 3ГБ | 20 нм 6гб станет LPDDR3, 2133Mb/с |
Ноября. 2013 | 3ГБ | 20 нм класса 6гб станет LPDDR3, 2133Mb/с |
Июль 2013 | 3ГБ | 20 нм класса 4 ГБ LPDDR3, 2133Mb/с |
Апрель 2013 | 2 ГБ | 20 нм класса 4 ГБ LPDDR3, 2133Mb/с |
Августа. 2012 | 2 ГБ | 30нм-класса 4 ГБ LPDDR3, 1600 МБ/с |
2011 | 1/2 ГБ | 30нм-класса 4 ГБ LPDDR2 с, 1066Mb/с |
2010 | 512МБ | 40нм-класс MDDR 2 Гб, 400 МБ/с |
2009 | 256МБ | 50 Нм-класс 1гб MDDR, 400 МБ/с |