Новый HBM2E стеки восемь 16гб драм умирает для достижения емкости 16GB пакет
и обеспечивает стабильную скорость передачи данных до 3,2 Гбит / с
Samsung Electronics, мировой лидер в области передовых технологий памяти, объявила о запуске рынка ‘Flashbolt’, третьего поколения высокой пропускной способности памяти 2е (HBM2E). Новый 16 гигабайт (ГБ) HBM2E уникально подходит, чтобы максимизировать высокопроизводительных вычислений (HPC) систем и система помощи производителям продвигать свои суперкомпьютеры, АИ-основанных на данных анализа и государственно-оф-искусство графики системы своевременно.
“С внедрением самых высокопроизводительных микросхем, доступных сегодня, мы предпринимаем важный шаг для укрепления нашей роли в качестве ведущего новатора в быстро растущем премиум рынке памяти”, — сказал Чхоль Чои, исполнительный вице-президент по памяти продажам и маркетингу Samsung электроники. “Samsung будет продолжать выполнять свои обязательства принести по-настоящему дифференцированных решений, поскольку мы укрепляем наши преимущества на рынке памяти”.
Готов поставить вдвое большую емкость, чем предыдущие поколения Aquabolt HBM2 8 ГБ, как новый Flashbolt также резко повышает производительность и энергоэффективность значительно улучшить следующее поколение вычислительных систем. 16 Гб Емкость достигается за счет вертикально штабелировать восемь слоев 10 нм-класс (1У) 16-гигабитных (Гб) драм умирает на вершине буферную микросхему. Этот пакет HBM2E затем между точное расположение более чем 40000 через кремний через’ (ТСВ) microbumps, с каждым 16гб умереть, содержащих более 5600 таких микроскопических отверстий.
Flashbolt Samsung обеспечивает высоконадежную передачу данных скоростью 3.2 гигабит в секунду (Гбит / с) за счет использования фирменной оптимизированная конструкция цепи для передачи сигнала, а также предложить пропускной способности памяти 410GB/с на стек. HBM2E Samsung также может достичь скорости передачи 4.2 Гбит / с, максимальная проверенная скорость передачи данных на сегодняшний день, что позволяет до 538GB/с пропускной способности в стек в определенном будущих приложений. Это будет означать повышение 1.75 X над Aquabolt по 307GB/С.
Samsung планирует начать объемов производства в первой половине этого года. Компания продолжит предоставление второго поколения модельного ряда Aquabolt при расширении третьего поколения Flashbolt предложение, и будет способствовать дальнейшему укреплению сотрудничества с партнерами по экосистеме в системы следующего поколения, так как это ускоряет переход на HBM решений на рынке премиум-памяти.
