Первое мировое признание Samsung, получающих промышленности по экологической устойчивости полупроводниковых решений

Эафс Samsung 512 ГБ памяти 3.0 заработать следа и сертификации «водного следа» углерода в мире, аккредитованных углеродный фонд
1ТБ эафс Samsung 2.1 и пятого поколения 512гб V-памяти NAND и получить экологическую декларацию продукта этикетки с корейским Министерством окружающей среды

Samsung электроники, мировой лидер в области передовых технологий памяти, объявила, что ее 512 гигабайт (ГБ) встроенный универсальный флеш-накопителя (эафс) 3.0 будут награждены углеродный след и водный след сертификаты от уважаемых британских углерода доверие во время церемонии в британском посольстве в Сеуле, Корея сегодня. Samsung по 512 ГБ эафс 3.0 является первой мобильной памятью в индустрии, чтобы быть признанным международной сертифицирующей организации, что стало возможным благодаря обширным усилиям компании по сокращению воды и следы углекислого газа.

Доверие углерода является аккредитованным глобально некоммерческих орган по сертификации, учрежденная британским правительством, чтобы ускорить переход к устойчивой низкоуглеродной экономике. Каждая аттестация по углеродным фондом было принято после тщательной оценки воздействия на окружающую среду от выбросов углекислого газа и потребление воды до и на протяжении всего производственного цикла, на основе международных стандартов*.

“Мы очень рады, что наши передовые технологии памяти не только продемонстрировать нашу способность преодолевать более сложный процесс сложностей, но и признаны за их экологической устойчивости”, — сказал Chanhoon парк, исполнительный вице-президент и глава Giheung Хвасон Пьонгтек комплекса на Samsung электроники. “Samsung будет продолжать создавать решения памяти, которые обеспечивают высокий уровень скорости, мощности и КПД при весьма малых геометрических размерах для конечных пользователей по всему миру”.

Полупроводниковых инноваций Samsung обеспечивают устойчивое производство

Исходя из пятого поколения (90+ слоев) V-памяти NAND, Samsung по 512 ГБ эафс 3.0 обеспечивает оптимальную скорость, мощность, эффективность и производительность для доставки в два раза большую емкость и в 2,1 раза скорость последовательного четвертого поколения (64 слоя) V-памяти NAND на основе 256 ГБ эафс 2.1, требуя при этом 30 процентов меньше рабочее напряжение. Кроме того, Samsung пятого поколения V-NAND и использует уникальные технологии травление, что пробивает более 90 клеток слоев в один точный шаг. Это позволяет чип почти в 1,5 раза больше, укладываемых слоев, чем предыдущее поколение и вмещать в себя 25-процентное сокращение размера чипа. Такие нововведения помогают свести к минимуму общее увеличение воды и следы углерода для каждого V-памяти NAND слоя клеток.

Samsung также награжден экологический продукт декларации (ЭПД) метки на 1 терабайт (ТБ) эафс 2.1’ и ‘пятого поколения 512-гигабитных (Гб) V-памяти NAND по корейским Министерством окружающей среды на сегодняшней церемонии.

Samsung планирует активно расширять принятие его весьма устойчивым, повышенной емкости премиум линейку решений памяти на много больше флагманских смартфонов и дальнейшего укрепления глобального партнерства для следующего поколения технологий памяти.

*ПА 2050 году выбросов углекислого газа и ISO 14046 для водного следа

[Ссылка] Samsung 512 ГБ эафс 3.0 воздействия на окружающую среду (углеродный фонд)

*13.4 кг со₂ сопоставима с суммой, которая поглощена двумя 30-летними соснами в году

[Ссылка] полупроводниковой техники Samsung с экологическими сертификатами