На Samsung Galaxy Note10 теперь можно играть в компьютерные игры

Линейка планшетных компьютеров компании Huawei официально пополнилась двумя новыми моделями – MediaPad T3 с экранами диагональю 7 и 8 дюймов. Стоимость новинок уже объявлена: MediaPad T3 8.0 будет предлагаться в Европе за 220 евро (240 евро в версии с поддержкой LTE), MediaPad T3 7.0 оценен в 130 евро.

Huawei MediaPad T3 8.0 построен на однокристальной платформе Qualcomm Snapdragon 425 (в ее составе – четырехъядерный CPU ARM Cortex-A53 и GPU Adreno 308) и имеет в базовом оснащении 2 ГБ оперативной и 16 ГБ встроенной флэш-памяти. Будет также вариант с 3 ГБ ОЗУ и 32 ГБ встроенной энергонезависимой памяти. Разрешение экрана составляет 1280 х 800 пикселей, а плотность пикселей – 188 на дюйм.

Также в конфигурации этой модели камеры разрешением 2 и 5 Мп (последняя – с автофокусом), приемник GPS, аккумуляторная батарея емкостью 4800 мА·ч, ОС Android 7.0. Габариты и масса устройства – 211,07 х 124,65 х 7,95 мм и 350 граммов.

Huawei MediaPad T3 7.0, разумеется, компактнее и легче: 179 х 103,68 х 8,6 мм и 250 граммов. Эта модель базируется на SoC MediaTek MT8127 (компанию четырехъядерному CPU ARM Cortex-A9 тут составляет GPU Mali-450 MP4) и работает под управлением ОС Android 6.0. Базовые объемы оперативной и флэш-памяти – 1 и 8 ГБ, объемы памяти «расширенной» версии – 2 и 16 ГБ соответственно.

В этой модели камер две, обе разрешением 2 Мп, и ни в одной нет системы автоматической фокусировки. Не будет у этой модели и версии с модемом LTE, но поддержка GPS заявлена. Разрешение экрана – 1024 х 600 пикселей, а емкость аккумуляторной батареи – 3100 мА·ч.

Источники: Huawei, Huawei

Компания Spin Transfer Technologies (STT), занятая разработкой магниторезистивной памяти с произвольным доступом на эффекте переноса спина (Orthogonal Spin Transfer Magneto-Resistive Random Access Memory, OST-MRAM), сообщила о начале поставок ознакомительных образцов.

По словам производителя, полнофункциональные образцы поставляются многочисленным заказчикам в Северной Америке и в Азии. В этих образцах ширина магнитного тоннельного перехода составляет 80 нм, что является наилучшим показателем для ST-MRAM. Микросхемы памяти поставляются на платах для разработчиков, так что заказчики могут сразу приступить к ознакомлению с их работой, оценивая пригодность для своих проектов.

На следующем этапе STT рассчитывает совместно с партнерами разработать встраиваемую память, параллельно работая над микросхемами памяти в виде самостоятельных изделий, в частности, повышая их плотность и быстродействие.

По словам STT, память OST-MRAM может во многих случаях заменить одновременно флэш-память, память типа SRAM и DRAM. К числу областей ее применения отнесены мобильные устройства, автомобильная электроника, интернет вещей и хранилища данных.

Источник: Spin Transfer Technologies