Компания SK Hynix объявила о разработке памяти DRAM HBM2E с самой высокой в отрасли пропускной способностью. По сравнению с памятью HBM2 пропускная способность увеличена на 50% — до 460 ГБ/с — поскольку скорость в расчете на одну линию данных достигает 3,6 Гбит/с, а всего линий 1024.
В стеке TSV может быть до восьми кристаллов плотностью 16 Гбит, так что максимальный объем памяти увеличен вдвое — с 8 до 16 ГБ.
По словам SK Hynix, HBM2E — «оптимальное решение для четвертой промышленной эры, поддерживающее высокопроизводительные графические процессоры, суперкомпьютеры, системы машинного обучения и системы искусственного интеллекта, которым требуется максимальный уровень производительности памяти».
К серийному выпуску HBM2E южнокорейская компания планирует приступить в 2020 году.
