Ремонт стиральных машин на дому. Ремонт посудомоечных машин Люберцы, Москва, Котельники, Жулебино, Дзержинский, Лыткарино, Реутов, Жуковский, Железнодорожный. Раменское. 8-917-545-14-12. 8-925-233-08-29.
Ремонт посудомоечных машин Люберцы, Москва, Котельники, Жулебино, Дзержинский, Лыткарино, Реутов, Жуковский, Железнодорожный. Раменское. 8-917-545-14-12. 8-925-233-08-29.

Samsung начинает серийное производство первой в отрасли мобильной памяти DRAM LPDDR5 12Гб для премиум-смартфонов


На основе новейших стандарт мобильной памяти DRAM, новый Samsung 12Гб LPDDR5
максимизирует потенциал 5G и особенности AI в будущих флагманов

Samsung Electronics, мировой лидер в области передовых технологий памяти, объявила о начале массового выпуска первых в индустрии 12-гигабитных (Гб) LPDDR5 мобильная DRAM, который был оптимизирован для обеспечения 5G и особенности AI в будущие смартфоны. Новая мобильная память приходит всего через пять месяцев после объявления о массовом производстве LPDDR4X 12ГБ, усиливая линейке компании Премиум-памяти. Samsung также планирует начать массовое производство 12-гигабайт (ГБ) LPDDR5 пакеты уже в этом месяце, каждый объединив восемь из 12 Гбит чипов, в соответствии с растущим спросом на более высокую производительность смартфона и емкостью от премиум-смартфон производителей.

“С массового производства 12 ГБ LPDDR5 причине на Samsung последнего второго поколения 10-нанометровых (Нм), класс процесса, мы в восторге от обслуживания своевременного запуска 5г флагманские смартфоны для наших клиентов по всему миру”, — сказал Чун-бэ Ли, исполнительный вице-президент драм продукта и технологии, Samsung электроники. “Samsung по-прежнему привержена быстрого внедрения нового поколения технологий мобильной памяти, которые обеспечивают более высокую производительность и большую емкость, так как мы продолжаем агрессивно стимулировать рост рынка премиум-памяти”.

Благодаря ведущей в отрасли скоростью и эффективностью власти, новый Samsung мобильных DRAM может включить следующего поколения флагманских смартфонов, чтобы полностью использовать 5G и ИИ функции, такие как ультра-высокой четкости видео записи и машинного обучения, при этом значительно расширяя жизнь батареи.

В данных со скоростью 5,500 мегабит в секунду (Мб/с), 12 Гбит LPDDR5 примерно в 1,3 раза быстрее, чем в предыдущих мобильных памяти (LPDDR4X, 4266Mb/С), что встречается в сегодняшней хай-энд смартфонов. Когда в пакет 12ГБ, в LPDDR5 способен передавать 44GB данных, или около 12 полный-HD (3.7 ГБ-размера) фильмы, в только секунды. Новый чип также использует до 30 процентов меньше энергии, чем его предшественник за счет интеграции нового дизайна схемы с расширенной синхронизации, подготовки и низким энергопотреблением функция, которая обеспечивает стабильную производительность даже при работе на невероятно быстрой скорости.

Для того, чтобы управлять производственной мощностью более гибко, Samsung рассматривает возможность переноса своего производства LPDDR5 12Гб его Мокпхо (Корея) кампуса начиная со следующего года, в зависимости от спроса со стороны глобальных клиентов. После его введения LPDDR5 12 ГБ мобильной памяти DRAM, Samsung планирует также разработать 16гб LPDDR5 в следующем году, чтобы укрепить свои конкурентные преимущества на мировом рынке памяти.

[Ссылка] Samsung мобильные драма таймлайн: производство/масса прод.

Дата Емкость Мобильная DRAM
Июля 2019 года 12ГБ 10нм-класса с интерфейсом SAS 12 Гбит LPDDR5, 5500Mb/с
Июня 2019 года 6ГБ 10нм-класса с интерфейсом SAS 12 Гбит LPDDR5, 5500Mb/с
Февраля. 2019 12ГБ 10нм-16GB класс LPDDR4X, 4266Mb/с
Апрель 2018 8 ГБ (разработка) 10нм-8GB класс LPDDR5, 6400Mb/с
Сентябрь. 2016 8ГБ 10нм-16GB класс LPDDR4X, 4266Mb/с
Августа. 2015 6ГБ 20 нм 12 Гб LPDDR4, 4266Mb/с
Декабря. 2014 4ГБ 20 нм 8 Гбит LPDDR4, 3200Mb/с
Сентябрь. 2014 3ГБ 20 нм 6гб станет LPDDR3, 2133Mb/с
Ноября. 2013 3ГБ 20 нм класса 6гб станет LPDDR3, 2133Mb/с
Июль 2013 3ГБ 20 нм класса 4 ГБ LPDDR3, 2133Mb/с
Апрель 2013 2 ГБ 20 нм класса 4 ГБ LPDDR3, 2133Mb/с
Августа. 2012 2 ГБ 30нм-класса 4 ГБ LPDDR3, 1600 МБ/с
2011 1/2 ГБ 30нм-класса 4 ГБ LPDDR2 с, 1066Mb/с
2010 512МБ 40нм-класс MDDR 2 Гб, 400 МБ/с
2009 256МБ 50 Нм-класс 1гб MDDR, 400 МБ/с

Оставьте комментарий