Ремонт стиральных машин на дому.
Ремонт посудомоечных машин Люберцы, Москва, Котельники, Жулебино, Дзержинский, Лыткарино, Реутов, Жуковский, Железнодорожный. Раменское. 8-917-545-14-12. 8-925-233-08-29.
Следующий Redmi Note получит стереодинамики, ИК-порт и хорошую камеру
Отлично зарекомендовавший себя сетевой информатор сообщил, что компания Redmi в самое ближайшее время начнет дразнить общественность тизерами нового смартфона линейки Redmi Note.
Если говорить точнее, то вице-президент Xiaomi и глава бренда Redmi Лу Вейбинг (Lu Weibing) ждет анонса смартфонов Honor 9X, чтобы переключить внимание общественности от новинки конкурентов на следующий смартфон крайне популярного бренда Redmi.
Презентация Honor 9X ожидается 23 июля, так что до появления первой информации о новом Redmi Note осталось совсем немного времени. Это если говорить об официальной информации, так как инсайдерские сведения о смартфоне у нас уже есть.
Во-первых, новое устройство должно быть оснащено тройной основной камерой. Во-вторых, в оснащение войдет инфракрасный порт для управления бытовой техникой, на отсутствие которого в недорогих моделях часто жалуются пользователи. Наконец, в-третьих, смартфон должен получить стереодинамики.
По сообщению компании Toshiba, ее совет директоров одобрил новое выделение средств дочерним предприятием Toshiba Memory Corporation (TMC) в строительство ми оборудование фабрики Fab 6. Инвестиции в размере около 978 млн долларов будут направлены на закупку дополнительного оборудования для чистой комнаты первой очереди (Fab 6 Phase-1). В конце июня было принято решение выделить на Fab 6 в текущем году 1,6 млрд долларов. Мощности предприятия Fab 6 будут полностью выделены под выпуск флэш-памяти с объемной компоновкой BiCS FLASH.
В опубликованном Toshiba пресс-релизе сказано, что TMC обратилась к SanDisk, партнеру по трем совместным предприятиям по выпуску флэш-памяти, с вопросом о совместном инвестировании строительства и оборудования Fab 6. Ранее было объявлено, что TMC будет инвестировать в фабрику Fab 6 самостоятельно.
Компания EVGA показала на выставке CES 2018 флагманский блок питания SuperNova 2200W P2. Он построен по схеме с одной шиной +12 В, нагрузочная способность которой превышает 183 А.
Мощности 2200 Вт достаточно, чтобы обеспечить работу наиболее требовательных систем, включающих до девяти графических карт. Для этого в набор кабелей включены кабели с 18 разъемами PCIe 6+2. Кроме того, есть 24-контактный разъем ATX, две пары EPS 4+4, 12 разъемов SATA, шесть Molex и два Berg.
Блок питания EVGA SuperNova 2200W P2 построен по схеме с одной шиной +12 В, нагрузочная способность которой превышает 183 А: Блок имеет сертификат 80 Plus Platinum
Компания Sony Semiconductor Solutions рассказала о разработках, относящихся к памяти ReRAM, объединяющей достоинства DRAM и NAND. Разработанные специалистами Sony ключевые технологии, как утверждается, позволят выпускать микросхемы памяти ReRAM высокой плотности.
В памяти, созданной Sony Semiconductor Solutions, используются ионы меди. Конструкция ячейки включает всего один элемент для выборки и один резистивный элемент (структура 1S1R). Это дает возможность изготавливать память в виде простой матрицы пересекающихся линий и компоновать такие матрицы в несколько слоев, наращивая плотность.
Одна из новых разработок — барьер между резервуаром ионов и электролитом, уменьшающий неравномерность сопротивления. За счет него удается увеличить плотность хранения.
Вторая технология — легирование элемента выборки бором и углеродом, за счет чего уменьшается ток утечки и увеличивается ресурс.
По оценке Sony Semiconductor Solutions, разработанные технологии позволят выпускать память ReRAM с временем записи 100 нс, ресурсом 10 млн циклов и плотностью около 100 Гбит.
Ожидается, что ReRAM заполнит нишу между DRAM и NAND по стоимости, производительности и степени интеграции.