Samsung Электроника удваивая текущую скорость хранения смартфона, Как это начинает серийное производство первой 512ГБ эафс 3.0

На основе пятого поколения компании V-памяти NAND, новая память соответствует последним универсальный для хранения технические характеристики флеш-индустрии со скоростью в 20 раз быстрее, чем обычный карты памяти microSD

Samsung планирует запустить 1-терабайтная версия
в течение второй половины года

Samsung Электроника мирового лидера в области передовых технологий памяти, объявила о начале массового выпуска первых в отрасли 512 гигабайт (ГБ) встроенный универсальный флеш-память (эафс) 3.0 для следующего поколения мобильных устройств. В соответствии с последними эафс спецификация 3.0, новая память Samsung обеспечивает удвоенную скорость предыдущего эафс хранения (эафс 2.1), что позволяет сотовой памяти для поддержки стабильной работы пользователей в будущем смартфоны с ультра-большие экраны с высоким разрешением.

“Начало массового производства в нашей эафс 3.0 модельный ряд дает нам большое преимущество в следующем поколении мобильного рынка, к которому мы приносим в памяти скорость чтения, что было раньше доступно только на ультра-тонких ноутбуков”, — сказал Чхоль Чои, исполнительный вице-президент по памяти продажам и маркетингу Samsung электроники. “Поскольку мы расширяем наши эафс 3.0 предложений, в том числе в 1 терабайт (ТБ) версии позже в этом году, мы ожидаем, чтобы играть важную роль в ускорении обороты в премиум-рынке мобильной связи.”

Samsung выпустил первый в отрасли интерфейс УФС с эафс 2.0 в январе 2015 года, что в 1,4 раза быстрее, чем стандарт мобильной памяти, в то время, называют встраиваемых мультимедийных карт (eMMC памятью) 5.1. Всего за четыре года, новейшие эафс предприятия 3.0 соответствует производительности современных ультра-тонких ноутбуков.

Эафс Samsung по 512 ГБ 3.0 стеки восемь пятого поколения компании по 512-гигабит (Гб) V-памяти NAND умереть и объединяет в себе высокопроизводительный контроллер. При 2100 мегабайт в секунду (МБ/с), новый эафс удваивает скорость последовательного чтения скорость последний эафс памяти Samsung по (эафс 2.1), который был анонсирован в январе. Молниеносность новых решений читать в четыре раза быстрее, чем SATA твердотельный накопитель (SSD) и в 20 раз быстрее, чем обычный карты памяти microSD, позволяя смартфонов передать полный фильм HD на ПК примерно через три секунды*. Кроме того, скорость последовательной записи также была улучшена на 50 процентов до 410 МБ свободного места/с, что эквивалентно тому, что SATA и SSD.

Случайная новой памяти скорость чтения и записи обеспечивает до 36% больше, чем в текущем эафс 2.1 отраслевой спецификации, в 63,000 и 68 000 операций ввода-вывода в секунду (IOPS) соответственно. С учетом значительных успехов в произвольного чтения и записи, которые более чем в 630 раз быстрее, чем общие карты microSD (100 в секунду), ряд сложных приложений можно одновременно запустить, обеспечив повышенную отзывчивость, особенно на новое поколение мобильных устройств.

После эафс 3.0 512 ГБ, а также 128 ГБ версии, что оба запуска в этом месяце, Samsung планирует производить 1 ТБ и 256 ГБ моделей во второй половине года, чтобы помочь дальнейшему мировых производителей устройство в Лучше будущее мобильных нововведений.

* Расчет основан на передаче 3.7 ГБ файл Full HD видео с мобильного устройства с 512 ГБ эафс 3.0 к ПК с энергонезависимую память (NVMe) интерфейс SSD-накопителей.

※ Ссылка: сравнение внутренней производительности памяти Samsung