Samsung ломает порог терабайт для хранения смартфона с первым 1ТБ встроенный универсальный флеш-накопителя

Питание от пятого поколения компании V-памяти NAND, новый универсальный флэш-памяти предлагает в 20 раз больше памяти, чем 64 ГБ внутренней памяти и 10x скорость типичная для карты microSD для приложений с интенсивной обработкой данных

Samsung Electronics, мировой лидер в области передовых технологий памяти, объявила о начале массового выпуска первой в отрасли один терабайт (ТБ) встроенный универсальный флеш-память (эафс) 2.1, для использования в следующем поколении мобильных приложений. Всего через четыре года после введения первого раствора УФС, в 128 гигабайт (ГБ) эафс, Samsung прошел долгожданный порог терабайт в памяти смартфона. Поклонников смартфонов вскоре смогут насладиться емкость сопоставима с премиум-ноутбук, без пары свои телефоны с помощью дополнительных карт памяти.

“На 1ТБ эафс как ожидается, будет играть решающую роль в привлечении более ноутбука-как пользовательский опыт для мобильных устройств следующего поколения”, — сказал Чхоль Чои, исполнительный вице-президент по продажам памяти и маркетингу Samsung электроники. “Более того, Samsung стремится к обеспечению наиболее надежной цепочки поставок и достаточного количества продукции для обеспечения своевременной запускает предстоящих флагманских смартфонов в ускорении роста мирового рынка мобильной связи.”

В том же пакете размер (11.5 мм x 13.0 мм), 1 ТБ эафс решение удваивает емкость 512 ГБ предыдущей версии, объединяя 16 укладываются слоями Samsung самые передовые 512-гигабитных (Гб) V-памяти NAND флэш-памяти и вновь проработанным фирменным контроллером. Пользователи смартфонов теперь смогут хранить 260 10 минут видео в формате 4К UHD (3840×2160), в то время как 64 ГБ эафс широко используется во многих современных топовых смартфонов способен хранить 13 Видео такого же размера.

На 1ТБ эафс также обладает исключительной скоростью, позволяя пользователям передавать большие объемы мультимедийного контента существенно уменьшается время. За до 1000 мегабайт в секунду (МБ/с), Новые возможности эафс примерно в два раза скорость последовательного чтения типичный 2,5-дюймовый SATA твердотельный накопитель (SSD). Это означает, что 5 ГБ-размера полный HD видео может быть передана встроенный SSD в так же быстро, как пять секунд, что в 10 раз превышает скорость обычной карты microSD. Кроме того, случайная скорость чтения увеличилась до 38 процентов за 512МБ версию, продолжительностью около 58 000 операций ввода-вывода. Случайные записи находятся в 500 раз быстрее, чем высокопроизводительные карты памяти microSD (100 ИППО), в до 50 000 операций ввода-вывода. Случайный скоростей позволяют для высокоскоростной непрерывной съемки на 960 кадров в секунду и позволит пользователям смартфонов использовать все преимущества мульти-возможности камеры в современных флагманских моделей и завтра.

Samsung планирует расширить производство своего пятого поколения 512гб V-памяти NAND на заводе в городе Пхентхэк в Южной Корее в первом полугодии 2019 года, чтобы полностью удовлетворить ожидаемый высокий спрос на 1ТБ эафс от производителей мобильных устройств по всему миру.

* Ссылка: сравнение внутренней производительности памяти