Samsung Электроника начинает серийное производство первого 4-битного отрасли потребительских ССД

Новый твердотельный накопитель на 4 ТБ угловую систему быстрой загрузки qlc характеристики уровня производительности
на равне с 3-разрядных накопителей с интерфейсом SATA
Предлагает 540 МБ/с Скорость чтения, 520 МБ/с Скорость записи и 3-летний гарантийный срок

Samsung Electronics, мировой лидер в области передовых технологий памяти, объявила, что приступила к массовому производству первой в индустрии 4-разрядный (угловую систему быстрой загрузки qlc, четырехъядерный клеточном уровне) 4-терабайт (ТБ) SATA и твердотельных накопителей (SSD) для потребителей.

На основе 1 терабит (Тб) V-памяти NAND с выдающейся производительности в компании 3-битный дизайн, Samsung в угловую систему быстрой загрузки qlc ССД, как ожидается, принесет новый уровень эффективности для потребительских твердотельных накопителей.

“Samsung-это новый 4-разрядный SATA и SSD знаменует собой массовый переход на терабайт SSD для потребителей”, — сказал Jaesoo Хан, исполнительный вице-президент по памяти продажам и маркетингу Samsung электроники. “Поскольку мы расширяем наш модельный ряд на сегменты потребителей и предприятия, 4-разрядный терабайт SSD-накопителями, быстро распространилась на весь рынок.”

С новым 1тб 4-бит V-памяти NAND чип, Samsung будет способна эффективно производить карты памяти 128 ГБ для смартфонов, которые поведут за собой в сторону большие емкости для высокопроизводительной памяти.

Как правило, данные, хранящиеся в памяти клеток увеличивается от трех до четырех бит, чип емкость на единицу площади возрастет и электрический заряд (используется для определения информации от датчика) уменьшится на целых 50 процентов, что делает его гораздо более трудно поддерживать устройства требуемой производительности и скорости.

Тем не менее, Samsung по 4-разрядный 4 ТБ угловую систему быстрой загрузки qlc твердотельный накопитель SATA поддерживает свою работоспособность на том же уровне, как 3-разрядный ССД с помощью 3-разрядного контроллера твердотельного накопителя и технологии TurboWrite, а при увеличении мощности привода за счет использования 32-х чипов, все они основаны на 64-слой четвертого поколения 1тб V-памяти NAND.*

4-битную угловую систему быстрой загрузки qlc SSD обеспечивает скорость последовательного чтения 540 МБ/с и скорость последовательной записи 520 МБ/с, и поставляется с трехлетней гарантией.

Samsung планирует представить несколько 4-разрядных потребительских SSD-накопителей уже в этом году с 1 Тб, 2 Тб и 4 ТБ в широко используется 2,5-дюймовый Форм-фактор.

Поскольку Введение в 32-гигабайта (ГБ) 1-битный SSD в 2006 году, который открыл эру твердотельных накопителей для ПК, сегодня 4 ТБ 4-бит на SSD, Samsung продолжает стимулировать новые пороговые значения для каждого мульти-битного поколения.**

Кроме того, компания планирует обеспечить M. 2 SSD-накопители nvme для предприятия в этом году и начать серийное производство 4-разрядный пятого поколения V-памяти NAND. Это позволит значительно расширить свою линейку твердотельных накопителей, чтобы удовлетворить растущий спрос на более быструю, более надежную производительность в широком диапазоне применений, например, центров обработки данных нового поколения, корпоративных серверов и корпоративных систем хранения данных.

*1тб (128 ГБ) х 32 = 4 ТБ (4,096 ГБ)

**Samsung массовое производство история SSD в бит на ячейку