Samsung начинает сначала 2-го поколения производства массовых промышленности 10 нм-класса, 16Гб LPDDR4X Мобильная DRAM

— Samsung расширить свою линейку микросхем более чем на 70% основан на 1У-нм процесс
— Ультра-тонкий пакет 8 Гб позволяет тонкий дизайн для следующего поколения флагманских мобильных устройств

Samsung Electronics, мировой лидер в области передовых технологий памяти, объявила о начале массового выпуска-это первый в отрасли 2^{— й}-поколение 10-нанометрового класса^* (1У-нм), LPDDR4X (низкая Мощность, удвоенная скорость передачи данных, 4-кратный) драм повысить эффективность и снизить разряд батареи сегодняшних премиум-смартфонов и других мобильных приложений.

По сравнению с мобильных микросхем памяти наиболее часто используемых в современных флагманских мобильных устройств (1х-нм 16Гб LPDDR4X), на 2^{— й}поколения LPDDR4X драма имеет до 10-процентное снижение мощности при сохранении той же скорости 4,266 мегабит в секунду (Мб/с).

“Появление 10 нм класса мобильная DRAM позволит значительно усовершенствованные решения для следующего поколения флагманских мобильных устройств, которые должны впервые появилась на рынке в конце этого года или в первой части 2019.” сказал Севон Чун, старший вице-президент по памяти продажам и маркетингу Samsung электроники. “Мы продолжаем развивать нашу линейку премиум драм вести ‘высокопроизводительные, большой емкости и низкой мощности память сегменте для удовлетворения спроса на рынке и усилить конкурентоспособность бизнеса.”

Samsung будет расширять свою линейку премиум-драма, основанная на 1У-нм процесс более чем на 70 процентов. Эта инициатива началась с массового производства первых 10 нм класса 8 Гб ddr4 DRAM с сервером в ноябре прошлого года и продолжается с этой LPDDR4X 16 Гб чип мобильной памяти лишь спустя восемь месяцев.

Samsung заявила, что она создала пакет 8 ГБ мобильная DRAM LPDDR4X путем объединения четырех из 10 нм-16Gb класс LPDDR4X микросхемы DRAM (16 Гб=2 ГБ). Это четырех-канальный пакет может реализовать скорость передачи данных на 34,1 ГБ в секунду, а его толщина уменьшилась более чем на 20% по сравнению с 1^стпоколения пакет, что позволяет производителям проектировать более тонкие, но более эффективного мобильных устройств.

С его LPDDR4X достижений, Samsung будет быстро расширять свою долю мобильную память DRAM на рынке, предоставляя широкий спектр высокопроизводительных продуктов, в том числе 4 ГБ, 6 ГБ и 8 Гб LPDDR4X пакеты.

В соответствии с выкатными 10 нм-класс LPDDR4X, Samsung приступил к работе новый драм производственная линия в городе Пхентхэк, Южная Корея, чтобы обеспечить стабильные поставки всех чипов мобильной памяти DRAM, в ответ на растущий спрос.

^*10нм-класс обозначает процесс, технологический узел где-то между 10 и 19 нм.

Сроки: Samsung массовое производство мобильной памяти DRAM с 2012 года

(2018.07 развивается 10нм класса 8гб LPDDR5, 6400Mb/с)