Ремонт стиральных машин на дому.
Ремонт посудомоечных машин Люберцы, Москва, Котельники, Жулебино, Дзержинский, Лыткарино, Реутов, Жуковский, Железнодорожный. Раменское. 8-917-545-14-12. 8-925-233-08-29.
Специалисты DxOmark протестировали полнокадровую беззеркальную камеру Canon EOS R и пришли к выводу, что ее датчик изображения заметно уступает датчикам, используемым в конкурирующих моделях Sony A7III и Nikon Z 6.
Отметим, что в абсолютном выражении датчик хорош. При базовой чувствительности ISO 100 камера Canon EOS R охватывает динамический диапазон 13,5 EV. Тем не менее, у датчиков с обратной засветкой, используемых в Nikon Z 6 и Sony A7 III, он еще на 1 EV шире. И хотя при других значениях преимущество меньше, оно сохраняется практически во всем диапазоне значений светочувствительности. В некоторых ситуациях это может быть заметно, поскольку широкий динамический диапазон не только позволяет запечатлевать детали одновременно в ярких и темных участках кадра, но и дает больший запас для исправления неточной экспозиции при обработке. Тем более, что по уровню шума датчик Canon EOS R тоже уступает конкурентам.
Общая оценка датчика Canon EOS R равна 89 баллам. Для сравнения: датчик Nikon Z 6 набрал 95 баллов, Sony A7III — 96 баллов.
Все новости за сегодня
Canon EOS R заметно уступает моделям Sony A7III и Nikon Z 6 в тесте DxOmark: Общая оценка датчика Canon EOS R равна 89 баллам
Компания Sony Semiconductor Solutions рассказала о разработках, относящихся к памяти ReRAM, объединяющей достоинства DRAM и NAND. Разработанные специалистами Sony ключевые технологии, как утверждается, позволят выпускать микросхемы памяти ReRAM высокой плотности.
В памяти, созданной Sony Semiconductor Solutions, используются ионы меди. Конструкция ячейки включает всего один элемент для выборки и один резистивный элемент (структура 1S1R). Это дает возможность изготавливать память в виде простой матрицы пересекающихся линий и компоновать такие матрицы в несколько слоев, наращивая плотность.
Одна из новых разработок — барьер между резервуаром ионов и электролитом, уменьшающий неравномерность сопротивления. За счет него удается увеличить плотность хранения.
Вторая технология — легирование элемента выборки бором и углеродом, за счет чего уменьшается ток утечки и увеличивается ресурс.
По оценке Sony Semiconductor Solutions, разработанные технологии позволят выпускать память ReRAM с временем записи 100 нс, ресурсом 10 млн циклов и плотностью около 100 Гбит.
Ожидается, что ReRAM заполнит нишу между DRAM и NAND по стоимости, производительности и степени интеграции.
Samsung Галактика смотреть-это следующее поколение smartwatch, который объединяет стиль и интеллект в одном удобном устройстве. Разработанный, чтобы соответствовать любому образу жизни, в
Как известно, смартфоны Samsung Galaxy A5 и Galaxy A7 в новом поколении превратились в Galaxy A8 и A8+. Есть предположения, что то же станется и с линейкой Galaxy J. А пока этому нет подтверждений, мы имеем возможность ознакомиться с моделью, которая может выйти на рынок под названием Galaxy J4. Ранее такое имя Samsung не использовала.
Модель появилась в базе Geekbench под каталожным номером SM-J400F. Это явно будет относительно недорогой аппарат, на что указывает как SoC Exynos 7570, так и всего 2 ГБ оперативной памяти. Напомним, SoC Exynos 7570 включает всего четыре ядра Cortex-A53 и GPU Mali-T720 MP1.
В качестве ОС даже тестовый образец использовал Android 8.0, так что за серийное устройство переживать не стоит. Что касается результатов теста, аппарат заработал 623 балла в однопоточном режиме и 1815 — в многопоточном.
Все новости за сегодня
Samsung может выпустить смартфон семейства Galaxy J с ранее не использовавшимся порядковым номером: Samsung Galaxy J4 получит очень бюджетную платформу