Компания , освоила выпуск микросхем памяти DRAM DDR3 плотностью 4 Гбит с использованием 20-нанометровой технологии. В текущем квартале тайваньский производитель рассчитывает приступить к серийному выпуску по 20-нанометровой технологии и микросхем DDR4 плотностью 8 Гбит.
С микросхемами DDR4 плотностью 8 Гбит компания Nanya рассчитывает вернуться на рынок DRAM для серверов. В компании уверены, что рынок серверной оперативной памяти в будет расти быстрее, чем рынок оперативной памяти для мобильных устройств.
Кстати, по словам производителя, ему уже удалось сделать производство по нормам 20 нм выгоднее производства по нормам 30 нм. Сейчас по нормам 20 нм компания обрабатывает более 10 000 пластин в месяц. К концу года этот показатель должен возрасти до 38 000.
