Samsung Electronics, мировой лидер в области передовых технологий памяти, объявила новый V-памяти NAND (вертикальная NAND-памяти) памяти решения и технологии, которые будут касаться насущных потребностей следующего поколения для обработки данных и систем хранения. С быстрым ростом приложений с интенсивной обработкой данных во многих отраслях промышленности с использованием искусственного интеллекта и Интернета вещей (iot) технологий, роль флэш-память стала чрезвычайно важную роль в ускорении скорость, с которой данные могут быть извлечены для анализа в режиме реального времени.
В первый день Samsung техника* и в этом году саммите флэш-памяти**, Samsung представит решения нового поколения задачи обработки данных сосредоточены вокруг новинка V-памяти NAND и массива твердотельных накопителей (SSD). Эти решения будут в авангарде включение большинства современных ресурсоемких задач, таких как высокопроизводительные вычисления, машинное обучение, анализ в реальном времени и параллельных вычислений.
“Наш новый, сильно улучшенный V-памяти NAND-технологии предложат умнее решения для большей ценностью, благодаря высокому обработка данных скоростях, повышенную масштабируемость системы и ультра-низкой задержкой для сегодняшних самых требовательных облачных приложений”, — сказал Gyoyoung Джин, исполнительный вице-президент и руководитель бизнес памяти на Samsung электроники. “Мы будем продолжать Пионер флэш-инноваций за счет использования нашего опыта в современные 3D-NAND технологии памяти значительно улучшить способ, в котором информационно насыщенные данные обрабатываются.
Эра Samsung Провозвестников 1 Терабит (Тб) V-памяти NAND чип
Samsung анонсировала 1тб V-памяти NAND чип, который, как планируется, будет доступна в следующем году. Первоначально отмечалось в 2013 году, во время открытия первой в отрасли 3Д НАНД, Samsung работает над тем, чтобы включить своих ключевых технологий памяти, чтобы реализовать один терабит емкости на одном кристалле с использованием V-памяти NAND структуры.
Прибытие 1тб V-памяти NAND в следующем году чип позволит 2ТБ памяти в одном V-памяти NAND пакета путем укладки 16 1тб умрет и станет одним из самых важных достижений память о прошлом десятилетие.
NGSFF (далее малого форм-фактора поколение) SSD для повышения мощности сервера хранилища и iops
Samsung пробует первый в отрасли 16-терабайт (ТБ) NGSFF SSD, который будет значительно улучшить память емкость хранилища и iops (операций ввода/вывода в секунду) в современных серверов высотой 1U. Измерение 30.5 мм x 110 мм x 4.38 мм, Samsung NGSFF SSD обеспечивает гипермасштабируемые ЦОД сервера при существенно более эффективное использование пространства и параметры масштабирования.
Используя Новый Диск NGSFF вместо накопителей M. 2 в корпусе высотой 1U, может увеличить емкость системы в четыре раза. Чтобы подчеркнуть преимущества, Samsung продемонстрировала систему отсчета, который доставляет 576 Тбайт в стойке 1U, используя 36 NGSFF 16ТБ SSD-накопители. Справочные системы 1У может обрабатывать около 10 млн. произвольного чтения ИППО, который утраивает производительность операций ввода-вывода в корпусе высотой 1U, оснащенный 2,5-дюймовых накопителей. Емкость петабайт могут быть достигнуты при использовании только двух систем 576 Тбайт.
Samsung планирует начать массовое производство своего первого NGSFF SSD в четвертом квартале этого года, хотя работы по стандартизации Форм-фактор с отраслевыми партнерами.
З-ССД: оптимизирован для систем, требующих быстрого отклика памяти
После введения в прошлом году его Z-ССД технологии, Samsung представил свои первые З-ССД продукта, SZ985. Благодаря ультра-низкую латентность и высокую производительность, З-SSD-накопитель будет использоваться в центрах обработки данных и корпоративных систем в области очень больших, ресурсоемких задач, таких как реальном-времени анализа больших объемов данных и высокопроизводительных серверов кэширования. Samsung сотрудничает с рядом своих клиентов об интеграции с Z-SSD в предстоящих приложений.
В Samsung SZ985 требует только 15 микросекунд задержка времени читать что составляет примерно седьмую часть задержки чтения новейшая*** ССД. На уровне приложения, использование Samsung по оси Z-ssds может уменьшить время отклика до 12 раз, по сравнению с использованием Встроенный SSD-накопители.
С его быстрое Время отклика, новый Z-ССД будет играть ключевую роль в устранении узких мест хранения на предприятии и в улучшение общей стоимости владения (TCO).
Новый подход к хранению с запатентованной технологией ключевого значения ССД
Samsung также представила совершенно новую технологию, называемую ключевое значение ССД. Название относится к высоко-инновационный метод обработки сложных наборов данных. При этом резко возрастает использование социальных медиа-услуг и приложений для интернета вещей, которые вносят вклад в создание объекта данных, таких как текст, изображения, аудио и видео файлы, сложность в обработке этих данных существенно возрастает.
Сегодня твердотельные накопители преобразование данных объекта в широком диапазоне размеров данных на фрагменты определенного размера, называемые “блоки”. Использование этих блоков требует внедрения процессов, состоящих из адресации lba (логическая адресация блоков) и ПБА (физическая адресация блоков) шагов. Однако, новая Ключевая технология Samsung стоимость твердотельных накопителей позволяет обрабатывать данные без преобразования его в блоки. Значение ключа Samsung, а не назначает «ключ» или конкретное место для каждого ”значения”, или часть объекта данных, независимо от ее размера. Ключ обеспечивает прямую адресацию расположения данных, что в свою очередь дает возможность хранения в масштабировании. Ключевой технологией Samsung стоимость позволяет SSD для масштабирования (по вертикали) и горизонтального масштабирования (по горизонтали) в отношении производительности и емкости. В результате, когда данные чтения или записи, значение ключа SSD может сократить лишние звенья, что приводит к ускорению входных и выходных данных, а также увеличить стоимость владения и значительно продлевает срок службы SSD.
* Примечание редактора: Samsung техника день хранится в Samsung в Силиконовой долине штаб-квартире в понедельник 7 августа, продемонстрировали “Samsung@сердце памяти” и поделился информацией о планах компании поставлять ИТ-продуктов, которые поддерживают большую взрывоопасность, даст больший доступ к массовым реальном времени данных, и обеспечить в режиме реального времени, быстрый возможности передачи данных. В рамках мероприятия также прошла исполнительной и панели аналитик поддержки, и отображается демос продукта по комплексной экосистемы продукта Samsung по.
** Примечание редактора: на саммите флэш-памяти (ФМС), производимых концепции конференции, демонстрирует основные приложения, ключевых технологий и ведущих мировых производителей, которые являются причиной многомиллиардных энергонезависимой памяти и SSD на рынках. УФМС по сообщениям мировых’ы крупнейших событий в тенденции, инновации и авторитетов приводит к необходимости внедрения флэш-память в ресурсоемких корпоративных приложений хранения данных, а также в смартфонах, планшетах, а также мобильных и встраиваемых систем. Для получения более подробной информации, пожалуйста, посетите на
*** Примечание редактора: часто сокращается как новейшая, НВМ-Экспресс (энергонезависимой памяти Экспресс) — это высокопроизводительный, масштабируемый интерфейс хост-контроллера с обтекаемой оформить и команда’ набор, который был оптимизирован для корпоративных и клиентских систем через разъем PCIe SSD-накопители. Для получения более подробной информации, пожалуйста, посетите
