Отрасль наконец-то вплотную приблизилась к внедрению в серийном производстве литографии в жестком ультрафиолетовом диапазоне (EUV), перспективной при переходе к более тонким нормам техпроцесса. Разработки в этой области ведутся давно, но одним из камней преткновения оставался источник излучения. Точнее говоря, отсутствие источника, мощности которого было бы достаточно для обеспечения производительности, характерной для массового производства.
Похоже, это препятствие устранено. На этой неделе компания ASML, выпускающая оборудование для полупроводникового производства, продемонстрировала на тематической выставке Semicon West источник EUV-излучения мощностью 250 Вт.
Как утверждается, такой источник позволит обрабатывать 125 пластин в час.
Представление о темпах разработки дает следующий факт: в 2012 году был продемонстрирован источник EUV мощностью 25 вт.
По оценке ASML, одна установка для EUV-литографии будет стоить не менее 100 млн долларов. Однако ее эксплуатация экономически более оправдана по сравнению с иммерсионной литографией с тремя или четырьмя шаблонами.
Компании Intel, Samsung, TSMC и Globalfoundries планируют внедрить литографию EUV в массовом производстве в течение ближайших двух лет.
Источник:
