Ремонт стиральных машин на дому. Ремонт посудомоечных машин Люберцы, Москва, Котельники, Жулебино, Дзержинский, Лыткарино, Реутов, Жуковский, Железнодорожный. Раменское. 8-917-545-14-12. 8-925-233-08-29.
Ремонт посудомоечных машин Люберцы, Москва, Котельники, Жулебино, Дзержинский, Лыткарино, Реутов, Жуковский, Железнодорожный. Раменское. 8-917-545-14-12. 8-925-233-08-29.

Samsung начинает массовое производство первых в отрасли 16 ГБ LPDDR5 микросхем для нового поколения премиум-смартфонов

На основе 2-го поколения Samsung 10 нм-класс технологии 16ГБ пакет мобильная DRAM LPDDR5 обеспечивает высокую производительность и большой потенциал

Samsung электроники, мировой лидер в области передовых технологий памяти, объявила о начале массового выпуска первых в отрасли 16 гигабайт (ГБ) LPDDR5 мобильная DRAM пакет для следующего поколения смартфонов. Следующее массовое производство первый в отрасли 12 ГБ LPDDR5 в июле 2019 году новый 16GB продвижение будет лидировать на рынке премиальных мобильных памяти с дополнительной емкостью, что позволяет повысить 5G и услугам, в том числе и насыщенные графикой игры и умные фотографии.

“Samsung стремится приносить технологии памяти до режущей кромки, позволяя потребителям наслаждаться удивительным опытом через свои мобильные устройства. Мы рады оставаться верным этому обязательству в наш новый, топ-оф-линии мобильное решение для глобальных производителей устройств”, — сказал Чол Чой, старший вице-президент по продажам памяти и маркетингу, Samsung электроники. “С введением новой линейке продуктов, основанных на технологии следующего поколения, то позже в этом году Samsung сможет полностью удовлетворять будущие потребности памяти от глобальных клиентов”.

Скорость передачи данных на 16 ГБ LPDDR5 приходит на 5500 мегабит в секунду (Мб/с), примерно в 1,3 раза быстрее, чем в предыдущих мобильных памяти (LPDDR4X, 4266Mb/с). По сравнению с пакета LPDDR4X 8ГБ, новая мобильная DRAM обеспечивает более чем 20-процентную экономию энергии, обеспечивая в два раза емкость.

Пакет 16GB мобильный Samsung в драм LPDDR5 состоит из восьми 12-гигабитных (Гб) чипов и четыре 8 ГБ чипы, оснащая смартфоны премиум-класса с удвоенным драма емкость найдены во многих более дорогих сегодня ноутбуков и игровых ПК. Вместе с высочайшей производительностью, в отрасли большой потенциал поддерживает динамичный и отзывчивый геймплей, а также ультра-высоким разрешением графики на смартфонах премиум-класса для очень захватывающий мобильный игровой опыт.

Как Samsung продолжает расширять LPDDR5 мобильной памяти DRAM производства на своем сайте Пьонгтек, компания планирует массовое производство 16 ГБ LPDDR5 продуктов на основе третьего поколения 10нм класса (1З) технологического процесса во второй половине этого года, в соответствии с развитием 6 400 Мб/с чипсет. Таких непрерывных инноваций, как ожидается, также положение Samsung в дальнейшем укрепить свои конкурентные преимущества на рынках, таких как премиум-класса, мобильных устройств, высокопроизводительных компьютерах и автомобильных применений.

[Ссылка] Samsung мобильные драма таймлайн: производство/масса прод.

Дата Емкость Мобильная DRAM
Декабря. 2019 16ГБ 10нм-класс 12 ГБ+8 ГБ LPDDR5, 5500Mb/с
Сентябрь. 2019

12ГБ
(uMCP)

10нм-класс 24 ГБ LPDDR4X, 4266Mb/с
Июля 2019 года 12ГБ 10нм-класса с интерфейсом SAS 12 Гбит LPDDR5, 5500Mb/с
Июня 2019 года 6ГБ 10нм-класса с интерфейсом SAS 12 Гбит LPDDR5, 5500Mb/с
Февраля. 2019 12ГБ 10нм-16GB класс LPDDR4X, 4266Mb/с
Июля 2018 года 8ГБ 10нм-16GB класс LPDDR4X, 4266Mb/с
Апрель 2018 8ГБ
(развития)
10нм-8GB класс LPDDR5, 6400Mb/с
Сентябрь. 2016 8ГБ 10нм-16GB класс LPDDR4X, 4266Mb/с
Августа. 2015 6ГБ 20 нм 12 Гб LPDDR4, 4266Mb/с
Декабря. 2014 4ГБ 20 нм 8 Гбит LPDDR4, 3200Mb/с
Сентябрь. 2014 3ГБ 20 нм 6гб станет LPDDR3, 2133Mb/с
Ноября. 2013 3ГБ 20 нм класса 6гб станет LPDDR3, 2133Mb/с
Июль 2013 3ГБ 20 нм класса 4 ГБ LPDDR3, 2133Mb/с
Апрель 2013 2 ГБ 20 нм класса 4 ГБ LPDDR3, 2133Mb/с
Августа. 2012 2 ГБ 30нм-класса 4 ГБ LPDDR3, 1600 МБ/с
2011 1/2 ГБ 30нм-класса 4 ГБ LPDDR2 с, 1066Mb/с
2010 512МБ 40нм-класс MDDR 2 Гб, 400 МБ/с
2009 256МБ 50 Нм-класс 1гб MDDR, 400 МБ/с

Оставьте комментарий